Program time effects on Total ionizing Dose tolerance of Sidewall Spacer Memory Bit Cell

Tommaso Vincenzi
, Gregor Schatzberger
, Alicja Malgorzata Michalowska-Forsyth

Institut für Elektronik (4390)

Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Begutachtung

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2019

Program time effects on Total ionizing Dose tolerance of Sidewall Spacer Memory Bit Cell
Vincenzi, T., Schatzberger, G. & Michalowska-Forsyth, A. M., 24 Okt. 2019, 2019 Austrochip Workshop on Microelectronics: Austrochip 2019. Vienna, S. 55 58 S.
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