Program time effects on Total ionizing Dose tolerance of Sidewall Spacer Memory Bit Cell

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Originalsprache	englisch
Titel	2019 Austrochip Workshop on Microelectronics
Untertitel	Austrochip 2019
Erscheinungsort	Vienna
Seiten	55
Seitenumfang	58
ISBN (elektronisch)	978-1-7281-1953-3
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 24 Okt. 2019
Veranstaltung	27th Austrian Workshop on Microelectronics: Austrochip 2019 - FH Technikum Wien, Wien, Österreich Dauer: 24 Okt. 2019 → 24 Okt. 2019 Konferenznummer: 27 https://embsys.technikum-wien.at/austrochip2019/ https://embsys.technikum-wien.at/austrochip2019/program/index.htm

Workshop	27th Austrian Workshop on Microelectronics
Kurztitel	Austrochip 2019
Land/Gebiet	Österreich
Ort	Wien
Zeitraum	24/10/19 → 24/10/19
Internetadresse	https://embsys.technikum-wien.at/austrochip2019/ https://embsys.technikum-wien.at/austrochip2019/program/index.htm

Dieses zitieren

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TY - GEN

T1 - Program time effects on Total ionizing Dose tolerance of Sidewall Spacer Memory Bit Cell

AU - Vincenzi, Tommaso

AU - Schatzberger, Gregor

AU - Michalowska-Forsyth, Alicja Malgorzata

N1 - Conference code: 27

PY - 2019/10/24

Y1 - 2019/10/24

KW - Nonvolatile Memories

KW - Radiation Hardness

KW - Total Ionizing Dose

M3 - Conference paper

SP - 55

BT - 2019 Austrochip Workshop on Microelectronics

CY - Vienna

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Y2 - 24 October 2019 through 24 October 2019

ER -