Modeling of annular gate MOS transistors

Varvara Bezhenova
, Alicja Malgorzata Michalowska-Forsyth

Institut für Elektronik (4390)

Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Begutachtung

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Modeling of annular gate MOS transistors
Bezhenova, V. (Redner/in) & Michalowska-Forsyth, A. M. (Beitragende/r)
19 Sept. 2018
Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science