Erratum to: Design and theoretical comparison of input ESD devices in 180 nm CMOS with focus on low capacitance

Alicja Michalowska-Forsyth; Patrick Schrey; Bernd Deutschmann

doi:10.1007/s00502-018-0648-x

Erratum to: Design and theoretical comparison of input ESD devices in 180 nm CMOS with focus on low capacitance

Institut für Elektronik (4390)

Publikation: Beitrag in einer Fachzeitschrift › Diskussion › Begutachtung

Originalsprache	englisch
Seiten (von - bis)	224-224
Seitenumfang	1
Fachzeitschrift	Elektrotechnik und Informationstechnik
Jahrgang	136
Ausgabenummer	2
DOIs	https://doi.org/10.1007/s00502-018-0648-x
Publikationsstatus	Veröffentlicht - Apr. 2019

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Information, Communication & Computing

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10.1007/s00502-018-0648-x

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Design and theoretical comparison of input ESD devices in 180 nm CMOS with focus on low capacitance
Titel in Übersetzung: Design und theoretischer Vergleich von ESD-Schutzstrukturen in 180 nm CMOS mit Schwerpunkt auf geringen EingangskapazitätenMichalowska-Forsyth, A. M., Schrey, P. & Deutschmann, B., 2018, in: Elektrotechnik und Informationstechnik. 135, S. 69–75
Publikation: Beitrag in einer Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

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TY - JOUR

T1 - Erratum to: Design and theoretical comparison of input ESD devices in 180 nm CMOS with focus on low capacitance

AU - Michalowska-Forsyth, Alicja

AU - Schrey, Patrick

AU - Deutschmann, Bernd

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Y1 - 2019/4

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DO - 10.1007/s00502-018-0648-x

M3 - Comment/debate

SN - 0932-383X

VL - 136

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EP - 224

JO - Elektrotechnik und Informationstechnik

JF - Elektrotechnik und Informationstechnik

IS - 2

ER -

Erratum to: Design and theoretical comparison of input ESD devices in 180 nm CMOS with focus on low capacitance

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