Abstract
A method for calculating the peak voltage at the input of the IC is presented for an I/O port subsystem consisting of a TVS protection device, an IC on-chip protection and a PCB trace. The method is valid for non-snapback on-chip protection where the silicon part can be fully described by a quasistatic (VF)-TLP curve and allows to determine the peak voltage from measurement data of the individual components only.
| Originalsprache | englisch |
|---|---|
| Titel | Electrical Overstress/Electrostatic Discharge 2022, EOS/ESD 2022 - Symposium Proceedings |
| Herausgeber (Verlag) | ESD Association |
| ISBN (elektronisch) | 9781585373406 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2022 |
| Veranstaltung | 44th Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium: EOS/ESD 2022 - Reno, USA / Vereinigte Staaten Dauer: 18 Sept. 2022 → 23 Sept. 2022 |
Konferenz
| Konferenz | 44th Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium |
|---|---|
| Land/Gebiet | USA / Vereinigte Staaten |
| Ort | Reno |
| Zeitraum | 18/09/22 → 23/09/22 |
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- Elektrotechnik und Elektronik
Fingerprint
Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Determining the Peak Voltage during TVS switching at the I/O of an IC using Component Measurement Data“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.Dieses zitieren
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