| Zeitraum | 16 Sept. 2018 → 21 Sept. 2018 |
|---|---|
| Veranstaltungstyp | Konferenz |
| Ort | Gothenburg, SchwedenAuf Karte anzeigen |
| Bekanntheitsgrad | International |
ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektrotechnik und Elektronik
- Strahlung
- Kern- und Hochenergiephysik
- Modellierung und Simulation
Verbundene Inhalte
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Aktivitäten
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Low TID effects on MOS transistors
Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science
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Modeling of annular gate MOS transistors
Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science
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Publikationen
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Low TID effects on MOS transistors
Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Konferenzband › Beitrag in einem Konferenzband › Begutachtung
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Modeling of annular gate MOS transistor
Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Konferenzband › Beitrag in einem Konferenzband › Begutachtung
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Low TID effects on MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Begutachtung
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Modeling of annular gate MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Begutachtung
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Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Begutachtung